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氣相沉積爐概述：CVD化學(xué)氣相沉積爐是用于制備碳碳復(fù)合材料，完成CVD氣相沉積工藝的重要工藝裝備。
1)設(shè)計溫度：1250℃/1650℃/1800℃/2200℃
2)常用溫度：900~1200℃
3)真空度：＜50Pa
4)壓升率：空爐冷態(tài)6.67Pa/h(或150Pa/24h)
5)加熱方式：石墨電阻加熱或感應(yīng)加熱
6)氣氛介質(zhì)：氮氣、丙烯、乙炔、氫氣
7)控氣方式：質(zhì)量流量計控制
8)爐型：方形、圓形、立式或臥式結(jié)構(gòu)（非標(biāo)設(shè)計）
9)其它介質(zhì)：爐殼冷水
